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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，最新推出采用S-VSON4T[1]封装的光继电器——“TLP3414S”与“TLP3431S”，具有比东芝现有产物更快的导通时间[2]。TLP3414S与TLP3431S的断态输出端电压和通态电流额定值分别为40 V/250 mA和20 V/450 mA。该产物于今日开始支持批量出货。

新型光继电器通过提高输入侧红外LED的光输出并优化光电探测器（光电二极管阵列）的设计，可实现高效的光耦合，将导通时间最大值缩短至150 μs。TLP3414S的导通时间比东芝现有产物TLP3414缩短约50 %，TLP3431S的导通时间比东芝现有产物TLP3431缩短约62 %。 

此外，当输出打开时，这两款产物的导通电阻会影响信号衰减（TLP3414S：最大值3 Ω，TLP3431S：最大值1.2 Ω）；当输出关闭时，输出电容会影响高频信号泄漏（两款产物均为典型值6.5 pF）。新产物与东芝现有产物[2]相当，确保了稳定的信号传输。

新产物适用于半导体测试设备中的引脚电子摆3闭应用，可在开关信号的同时以高精度高速测量待测设备（顿鲍罢）。

新产物由于采用小型S-VSON4T封装，与东芝现有产物的VSON4封装[4]相比表贴面积减少了约20 %，有助于实现半导体测试设备和其他设备的小型化。

东芝将继续提供更多高性能产物，以满足半导体测试设备对更高性能和更快速度的需求。

*应用：

-半导体测试设备（高速存储器测试设备、高速逻辑测试设备等）

-探测卡

-测量设备

*特性：

-高速导通时间：tON＝150 μs（最大值）

-低导通电阻：

TLP3414S RON＝3 Ω（最大值）

TLP3431S RON＝1.2 Ω（最大值）

-小型S-VSON4T封装：1.45 mm×2.0 mm（典型值），厚度＝1.3 mm（典型值）

*主要规格：

（除非另有说明，Ta＝25 °C）