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       江苏多维科技有限公司（MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT） 日前推出AMR2302、AMR2501系列高性能低噪声各向异性磁阻（AMR）线性磁传感器芯片。这一系列产物采用多维科技自主研发的特种坡莫合金材料及特殊的工艺流程制成，大大降低了芯片的本底噪声，AMR2501可以实现本底噪声密度150pT/Hz1/2（@1Hz），AMR2302可以实现本底噪声密度400pT/HzHz1/2（@1Hz）。

       AMR2302采用了两个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含X/Y双轴各四个高灵敏度AMR传感器元件，标准的SOP16封装形式，测量范围达到±10Gs；AMR2501采用了单推挽式惠斯通全桥结构设计，包含单轴四个高灵敏度AMR传感器元件，采用了DFN5X6 -16L的超小封装形式，测量范围达到±4Gs，灵敏度达到2.1mV/V/Gs。AMR2302、AMR2501线性磁场传感器芯片都有着极宽的工作磁场及工作电压范围，同时有极低的磁滞特性，可以满足各种微弱磁场检测、电流传感器、位置传感器、交通流量检测等应用的要求。